二手长晶炉设备回收+太仓螺杆真空泵回收维修/保养

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不需要率因数补偿装置。3，计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面，高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。

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技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度温度分布合适的热场一定要根据生长设备利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。